Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFT150N20T
MOSFET N-CH 200V 150A TO-268
Numer części
IXFT150N20T
Producent/marka
Seria
HiPerFET™, TrenchT2™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-268
Rozpraszanie mocy (maks.)
890W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
177nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
11700pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 26102 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFT150N20T
IXFT150N20T Części elektroniczne
IXFT150N20T Obroty
IXFT150N20T Dostawca
IXFT150N20T Dystrybutor
IXFT150N20T Tabela danych
IXFT150N20T Zdjęcia
IXFT150N20T Cena
IXFT150N20T Oferta
IXFT150N20T Najniższa cena
IXFT150N20T Szukaj
IXFT150N20T Nabywczy
IXFT150N20T Chip