Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFR80N50Q3

IXFR80N50Q3

MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
Numer części
IXFR80N50Q3
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
ISOPLUS247™
Rozpraszanie mocy (maks.)
570W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
72 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
200nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10000pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 35278 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IXFR80N50Q3
IXFR80N50Q3 Części elektroniczne
IXFR80N50Q3 Obroty
IXFR80N50Q3 Dostawca
IXFR80N50Q3 Dystrybutor
IXFR80N50Q3 Tabela danych
IXFR80N50Q3 Zdjęcia
IXFR80N50Q3 Cena
IXFR80N50Q3 Oferta
IXFR80N50Q3 Najniższa cena
IXFR80N50Q3 Szukaj
IXFR80N50Q3 Nabywczy
IXFR80N50Q3 Chip