Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFR64N50P
MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247
Numer części
IXFR64N50P
Producent/marka
Seria
HiPerFET™, PolarHT™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
ISOPLUS247™
Pakiet urządzeń dostawcy
ISOPLUS247™
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95 mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
150nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8700pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 15117 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFR64N50P
IXFR64N50P Części elektroniczne
IXFR64N50P Obroty
IXFR64N50P Dostawca
IXFR64N50P Dystrybutor
IXFR64N50P Tabela danych
IXFR64N50P Zdjęcia
IXFR64N50P Cena
IXFR64N50P Oferta
IXFR64N50P Najniższa cena
IXFR64N50P Szukaj
IXFR64N50P Nabywczy
IXFR64N50P Chip