Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFR58N20
MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
Numer części
IXFR58N20
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
ISOPLUS247™
Pakiet urządzeń dostawcy
ISOPLUS247™
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
140nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3600pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 13475 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFR58N20
IXFR58N20 Części elektroniczne
IXFR58N20 Obroty
IXFR58N20 Dostawca
IXFR58N20 Dystrybutor
IXFR58N20 Tabela danych
IXFR58N20 Zdjęcia
IXFR58N20 Cena
IXFR58N20 Oferta
IXFR58N20 Najniższa cena
IXFR58N20 Szukaj
IXFR58N20 Nabywczy
IXFR58N20 Chip