Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFR32N80P
MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247
Numer części
IXFR32N80P
Producent/marka
Seria
HiPerFET™, PolarHT™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
ISOPLUS247™
Pakiet urządzeń dostawcy
ISOPLUS247™
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
150nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8800pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 36176 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFR32N80P
IXFR32N80P Części elektroniczne
IXFR32N80P Obroty
IXFR32N80P Dostawca
IXFR32N80P Dystrybutor
IXFR32N80P Tabela danych
IXFR32N80P Zdjęcia
IXFR32N80P Cena
IXFR32N80P Oferta
IXFR32N80P Najniższa cena
IXFR32N80P Szukaj
IXFR32N80P Nabywczy
IXFR32N80P Chip