Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFR30N50Q

IXFR30N50Q

MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247
Numer części
IXFR30N50Q
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Last Time Buy
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
ISOPLUS247™
Pakiet urządzeń dostawcy
ISOPLUS247™
Rozpraszanie mocy (maks.)
310W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
150nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3950pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 13449 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IXFR30N50Q
IXFR30N50Q Części elektroniczne
IXFR30N50Q Obroty
IXFR30N50Q Dostawca
IXFR30N50Q Dystrybutor
IXFR30N50Q Tabela danych
IXFR30N50Q Zdjęcia
IXFR30N50Q Cena
IXFR30N50Q Oferta
IXFR30N50Q Najniższa cena
IXFR30N50Q Szukaj
IXFR30N50Q Nabywczy
IXFR30N50Q Chip