Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFR30N110P
MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247
Numer części
IXFR30N110P
Producent/marka
Seria
HiPerFET™, PolarP2™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
ISOPLUS247™
Pakiet urządzeń dostawcy
ISOPLUS247™
Rozpraszanie mocy (maks.)
320W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
235nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
13600pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 17495 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFR30N110P
IXFR30N110P Części elektroniczne
IXFR30N110P Obroty
IXFR30N110P Dostawca
IXFR30N110P Dystrybutor
IXFR30N110P Tabela danych
IXFR30N110P Zdjęcia
IXFR30N110P Cena
IXFR30N110P Oferta
IXFR30N110P Najniższa cena
IXFR30N110P Szukaj
IXFR30N110P Nabywczy
IXFR30N110P Chip