Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFR18N90P
MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
Numer części
IXFR18N90P
Producent/marka
Seria
HiPerFET™, PolarP2™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
ISOPLUS247™
Pakiet urządzeń dostawcy
ISOPLUS247™
Rozpraszanie mocy (maks.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
900V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
97nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5230pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 50264 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFR18N90P
IXFR18N90P Części elektroniczne
IXFR18N90P Obroty
IXFR18N90P Dostawca
IXFR18N90P Dystrybutor
IXFR18N90P Tabela danych
IXFR18N90P Zdjęcia
IXFR18N90P Cena
IXFR18N90P Oferta
IXFR18N90P Najniższa cena
IXFR18N90P Szukaj
IXFR18N90P Nabywczy
IXFR18N90P Chip