Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFR14N100Q2
MOSFET N-CH 1KV 9.5A ISOPLUS247
Numer części
IXFR14N100Q2
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
ISOPLUS247™
Pakiet urządzeń dostawcy
ISOPLUS247™
Rozpraszanie mocy (maks.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1 Ohm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
83nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2700pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 24747 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFR14N100Q2
IXFR14N100Q2 Części elektroniczne
IXFR14N100Q2 Obroty
IXFR14N100Q2 Dostawca
IXFR14N100Q2 Dystrybutor
IXFR14N100Q2 Tabela danych
IXFR14N100Q2 Zdjęcia
IXFR14N100Q2 Cena
IXFR14N100Q2 Oferta
IXFR14N100Q2 Najniższa cena
IXFR14N100Q2 Szukaj
IXFR14N100Q2 Nabywczy
IXFR14N100Q2 Chip