Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFL80N50Q2

IXFL80N50Q2

MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264
Numer części
IXFL80N50Q2
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
ISOPLUS264™
Pakiet urządzeń dostawcy
ISOPLUS264™
Rozpraszanie mocy (maks.)
625W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
66 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
260nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10500pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 17355 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IXFL80N50Q2
IXFL80N50Q2 Części elektroniczne
IXFL80N50Q2 Obroty
IXFL80N50Q2 Dostawca
IXFL80N50Q2 Dystrybutor
IXFL80N50Q2 Tabela danych
IXFL80N50Q2 Zdjęcia
IXFL80N50Q2 Cena
IXFL80N50Q2 Oferta
IXFL80N50Q2 Najniższa cena
IXFL80N50Q2 Szukaj
IXFL80N50Q2 Nabywczy
IXFL80N50Q2 Chip