Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFL38N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
Numer części
IXFL38N100Q2
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
ISOPLUS264™
Pakiet urządzeń dostawcy
ISOPLUS264™
Rozpraszanie mocy (maks.)
380W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
250nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
13500pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 33266 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFL38N100Q2
IXFL38N100Q2 Części elektroniczne
IXFL38N100Q2 Obroty
IXFL38N100Q2 Dostawca
IXFL38N100Q2 Dystrybutor
IXFL38N100Q2 Tabela danych
IXFL38N100Q2 Zdjęcia
IXFL38N100Q2 Cena
IXFL38N100Q2 Oferta
IXFL38N100Q2 Najniższa cena
IXFL38N100Q2 Szukaj
IXFL38N100Q2 Nabywczy
IXFL38N100Q2 Chip