Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFK80N65X2
MOSFET N-CH 650V 80A TO-264
Numer części
IXFK80N65X2
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-264-3, TO-264AA
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-264
Rozpraszanie mocy (maks.)
890W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
143nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8245pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 14146 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFK80N65X2
IXFK80N65X2 Części elektroniczne
IXFK80N65X2 Obroty
IXFK80N65X2 Dostawca
IXFK80N65X2 Dystrybutor
IXFK80N65X2 Tabela danych
IXFK80N65X2 Zdjęcia
IXFK80N65X2 Cena
IXFK80N65X2 Oferta
IXFK80N65X2 Najniższa cena
IXFK80N65X2 Szukaj
IXFK80N65X2 Nabywczy
IXFK80N65X2 Chip