Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFK64N60P
MOSFET N-CH 600V 64A TO-264
Numer części
IXFK64N60P
Producent/marka
Seria
HiPerFET™, PolarHT™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-264-3, TO-264AA
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-264AA (IXFK)
Rozpraszanie mocy (maks.)
1040W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
96 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
200nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
12000pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 33661 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFK64N60P
IXFK64N60P Części elektroniczne
IXFK64N60P Obroty
IXFK64N60P Dostawca
IXFK64N60P Dystrybutor
IXFK64N60P Tabela danych
IXFK64N60P Zdjęcia
IXFK64N60P Cena
IXFK64N60P Oferta
IXFK64N60P Najniższa cena
IXFK64N60P Szukaj
IXFK64N60P Nabywczy
IXFK64N60P Chip