Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFK50N85X

IXFK50N85X

850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Numer części
IXFK50N85X
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-264-3, TO-264AA
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-264
Rozpraszanie mocy (maks.)
890W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
850V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
152nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4480pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 49326 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IXFK50N85X
IXFK50N85X Części elektroniczne
IXFK50N85X Obroty
IXFK50N85X Dostawca
IXFK50N85X Dystrybutor
IXFK50N85X Tabela danych
IXFK50N85X Zdjęcia
IXFK50N85X Cena
IXFK50N85X Oferta
IXFK50N85X Najniższa cena
IXFK50N85X Szukaj
IXFK50N85X Nabywczy
IXFK50N85X Chip