Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFH80N65X2-4
MOSFET N-CH
Numer części
IXFH80N65X2-4
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
-
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-4
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-4L
Rozpraszanie mocy (maks.)
890W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
38 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
140nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8300pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 46716 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFH80N65X2-4
IXFH80N65X2-4 Części elektroniczne
IXFH80N65X2-4 Obroty
IXFH80N65X2-4 Dostawca
IXFH80N65X2-4 Dystrybutor
IXFH80N65X2-4 Tabela danych
IXFH80N65X2-4 Zdjęcia
IXFH80N65X2-4 Cena
IXFH80N65X2-4 Oferta
IXFH80N65X2-4 Najniższa cena
IXFH80N65X2-4 Szukaj
IXFH80N65X2-4 Nabywczy
IXFH80N65X2-4 Chip