Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFH70N30Q3

IXFH70N30Q3

MOSFET N-CH 300V 70A TO-247
Numer części
IXFH70N30Q3
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247AD (IXFH)
Rozpraszanie mocy (maks.)
830W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
300V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
54 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
98nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4735pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 43188 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IXFH70N30Q3
IXFH70N30Q3 Części elektroniczne
IXFH70N30Q3 Obroty
IXFH70N30Q3 Dostawca
IXFH70N30Q3 Dystrybutor
IXFH70N30Q3 Tabela danych
IXFH70N30Q3 Zdjęcia
IXFH70N30Q3 Cena
IXFH70N30Q3 Oferta
IXFH70N30Q3 Najniższa cena
IXFH70N30Q3 Szukaj
IXFH70N30Q3 Nabywczy
IXFH70N30Q3 Chip