Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFH66N20Q
MOSFET N-CH 200V 66A TO-247
Numer części
IXFH66N20Q
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Last Time Buy
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247AD (IXFH)
Rozpraszanie mocy (maks.)
400W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
105nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3700pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 21499 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFH66N20Q
IXFH66N20Q Części elektroniczne
IXFH66N20Q Obroty
IXFH66N20Q Dostawca
IXFH66N20Q Dystrybutor
IXFH66N20Q Tabela danych
IXFH66N20Q Zdjęcia
IXFH66N20Q Cena
IXFH66N20Q Oferta
IXFH66N20Q Najniższa cena
IXFH66N20Q Szukaj
IXFH66N20Q Nabywczy
IXFH66N20Q Chip