Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFH58N20Q
MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
Numer części
IXFH58N20Q
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Last Time Buy
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247AD (IXFH)
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
140nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3600pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 26887 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFH58N20Q
IXFH58N20Q Części elektroniczne
IXFH58N20Q Obroty
IXFH58N20Q Dostawca
IXFH58N20Q Dystrybutor
IXFH58N20Q Tabela danych
IXFH58N20Q Zdjęcia
IXFH58N20Q Cena
IXFH58N20Q Oferta
IXFH58N20Q Najniższa cena
IXFH58N20Q Szukaj
IXFH58N20Q Nabywczy
IXFH58N20Q Chip