Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFH50N85X
850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Numer części
IXFH50N85X
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247
Rozpraszanie mocy (maks.)
890W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
850V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
152nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4480pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 8179 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFH50N85X
IXFH50N85X Części elektroniczne
IXFH50N85X Obroty
IXFH50N85X Dostawca
IXFH50N85X Dystrybutor
IXFH50N85X Tabela danych
IXFH50N85X Zdjęcia
IXFH50N85X Cena
IXFH50N85X Oferta
IXFH50N85X Najniższa cena
IXFH50N85X Szukaj
IXFH50N85X Nabywczy
IXFH50N85X Chip