Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFH36N55Q2
MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
Numer części
IXFH36N55Q2
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247AD (IXFH)
Rozpraszanie mocy (maks.)
560W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
550V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
110nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4100pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 36347 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFH36N55Q2
IXFH36N55Q2 Części elektroniczne
IXFH36N55Q2 Obroty
IXFH36N55Q2 Dostawca
IXFH36N55Q2 Dystrybutor
IXFH36N55Q2 Tabela danych
IXFH36N55Q2 Zdjęcia
IXFH36N55Q2 Cena
IXFH36N55Q2 Oferta
IXFH36N55Q2 Najniższa cena
IXFH36N55Q2 Szukaj
IXFH36N55Q2 Nabywczy
IXFH36N55Q2 Chip