Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFH34N65X2
MOSFET N-CH 650V 34A TO-247
Numer części
IXFH34N65X2
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247
Rozpraszanie mocy (maks.)
540W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
56nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3330pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 22722 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFH34N65X2
IXFH34N65X2 Części elektroniczne
IXFH34N65X2 Obroty
IXFH34N65X2 Dostawca
IXFH34N65X2 Dystrybutor
IXFH34N65X2 Tabela danych
IXFH34N65X2 Zdjęcia
IXFH34N65X2 Cena
IXFH34N65X2 Oferta
IXFH34N65X2 Najniższa cena
IXFH34N65X2 Szukaj
IXFH34N65X2 Nabywczy
IXFH34N65X2 Chip