Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFH30N60Q
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD
Numer części
IXFH30N60Q
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247AD (IXFH)
Rozpraszanie mocy (maks.)
500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
125nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4700pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 24640 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFH30N60Q
IXFH30N60Q Części elektroniczne
IXFH30N60Q Obroty
IXFH30N60Q Dostawca
IXFH30N60Q Dystrybutor
IXFH30N60Q Tabela danych
IXFH30N60Q Zdjęcia
IXFH30N60Q Cena
IXFH30N60Q Oferta
IXFH30N60Q Najniższa cena
IXFH30N60Q Szukaj
IXFH30N60Q Nabywczy
IXFH30N60Q Chip