Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFH26N50Q
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD
Numer części
IXFH26N50Q
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247AD (IXFH)
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
95nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3900pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 44442 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFH26N50Q
IXFH26N50Q Części elektroniczne
IXFH26N50Q Obroty
IXFH26N50Q Dostawca
IXFH26N50Q Dystrybutor
IXFH26N50Q Tabela danych
IXFH26N50Q Zdjęcia
IXFH26N50Q Cena
IXFH26N50Q Oferta
IXFH26N50Q Najniższa cena
IXFH26N50Q Szukaj
IXFH26N50Q Nabywczy
IXFH26N50Q Chip