Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFH24N90P
MOSFET N-CH TO-247
Numer części
IXFH24N90P
Producent/marka
Seria
HiPerFET™, PolarP2™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247AD (IXFH)
Rozpraszanie mocy (maks.)
660W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
900V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
130nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7200pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 17991 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFH24N90P
IXFH24N90P Części elektroniczne
IXFH24N90P Obroty
IXFH24N90P Dostawca
IXFH24N90P Dystrybutor
IXFH24N90P Tabela danych
IXFH24N90P Zdjęcia
IXFH24N90P Cena
IXFH24N90P Oferta
IXFH24N90P Najniższa cena
IXFH24N90P Szukaj
IXFH24N90P Nabywczy
IXFH24N90P Chip