Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFH20N85X
850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Numer części
IXFH20N85X
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247
Rozpraszanie mocy (maks.)
540W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
850V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
330 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
63nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1660pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 6956 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFH20N85X
IXFH20N85X Części elektroniczne
IXFH20N85X Obroty
IXFH20N85X Dostawca
IXFH20N85X Dystrybutor
IXFH20N85X Tabela danych
IXFH20N85X Zdjęcia
IXFH20N85X Cena
IXFH20N85X Oferta
IXFH20N85X Najniższa cena
IXFH20N85X Szukaj
IXFH20N85X Nabywczy
IXFH20N85X Chip