Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFH14N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD
Numer części
IXFH14N100Q2
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247AD (IXFH)
Rozpraszanie mocy (maks.)
500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
83nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2800pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 48704 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFH14N100Q2
IXFH14N100Q2 Części elektroniczne
IXFH14N100Q2 Obroty
IXFH14N100Q2 Dostawca
IXFH14N100Q2 Dystrybutor
IXFH14N100Q2 Tabela danych
IXFH14N100Q2 Zdjęcia
IXFH14N100Q2 Cena
IXFH14N100Q2 Oferta
IXFH14N100Q2 Najniższa cena
IXFH14N100Q2 Szukaj
IXFH14N100Q2 Nabywczy
IXFH14N100Q2 Chip