Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFH12N100Q
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
Numer części
IXFH12N100Q
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247AD (IXFH)
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
90nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2900pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 41255 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFH12N100Q
IXFH12N100Q Części elektroniczne
IXFH12N100Q Obroty
IXFH12N100Q Dostawca
IXFH12N100Q Dystrybutor
IXFH12N100Q Tabela danych
IXFH12N100Q Zdjęcia
IXFH12N100Q Cena
IXFH12N100Q Oferta
IXFH12N100Q Najniższa cena
IXFH12N100Q Szukaj
IXFH12N100Q Nabywczy
IXFH12N100Q Chip