Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFA8N85XHV
MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
Numer części
IXFA8N85XHV
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263HV
Rozpraszanie mocy (maks.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
850V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
17nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
654pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 46192 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFA8N85XHV
IXFA8N85XHV Części elektroniczne
IXFA8N85XHV Obroty
IXFA8N85XHV Dostawca
IXFA8N85XHV Dystrybutor
IXFA8N85XHV Tabela danych
IXFA8N85XHV Zdjęcia
IXFA8N85XHV Cena
IXFA8N85XHV Oferta
IXFA8N85XHV Najniższa cena
IXFA8N85XHV Szukaj
IXFA8N85XHV Nabywczy
IXFA8N85XHV Chip