Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFA8N50P3

IXFA8N50P3

MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA
Numer części
IXFA8N50P3
Producent/marka
Seria
HiPerFET™, Polar3™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (IXFA)
Rozpraszanie mocy (maks.)
180W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
13nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
705pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 49197 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IXFA8N50P3
IXFA8N50P3 Części elektroniczne
IXFA8N50P3 Obroty
IXFA8N50P3 Dostawca
IXFA8N50P3 Dystrybutor
IXFA8N50P3 Tabela danych
IXFA8N50P3 Zdjęcia
IXFA8N50P3 Cena
IXFA8N50P3 Oferta
IXFA8N50P3 Najniższa cena
IXFA8N50P3 Szukaj
IXFA8N50P3 Nabywczy
IXFA8N50P3 Chip