Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFA6N120P
MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
Numer części
IXFA6N120P
Producent/marka
Seria
HiPerFET™, PolarP2™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (IXFA)
Rozpraszanie mocy (maks.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
92nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2830pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 35617 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFA6N120P
IXFA6N120P Części elektroniczne
IXFA6N120P Obroty
IXFA6N120P Dostawca
IXFA6N120P Dystrybutor
IXFA6N120P Tabela danych
IXFA6N120P Zdjęcia
IXFA6N120P Cena
IXFA6N120P Oferta
IXFA6N120P Najniższa cena
IXFA6N120P Szukaj
IXFA6N120P Nabywczy
IXFA6N120P Chip