IXFA3N120TRL
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Numer części
IXFA3N120TRL
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263
Rozpraszanie mocy (maks.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
39nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1050pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 12808 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFA3N120TRL
IXFA3N120TRL Części elektroniczne
IXFA3N120TRL Obroty
IXFA3N120TRL Dostawca
IXFA3N120TRL Dystrybutor
IXFA3N120TRL Tabela danych
IXFA3N120TRL Zdjęcia
IXFA3N120TRL Cena
IXFA3N120TRL Oferta
IXFA3N120TRL Najniższa cena
IXFA3N120TRL Szukaj
IXFA3N120TRL Nabywczy
IXFA3N120TRL Chip