Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFA22N60P3

IXFA22N60P3

MOSFET N-CH
Numer części
IXFA22N60P3
Producent/marka
Seria
HiPerFET™, Polar3™
Stan części
Active
Opakowanie
-
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263AA
Rozpraszanie mocy (maks.)
500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
390 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
38nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2600pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 13140 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IXFA22N60P3
IXFA22N60P3 Części elektroniczne
IXFA22N60P3 Obroty
IXFA22N60P3 Dostawca
IXFA22N60P3 Dystrybutor
IXFA22N60P3 Tabela danych
IXFA22N60P3 Zdjęcia
IXFA22N60P3 Cena
IXFA22N60P3 Oferta
IXFA22N60P3 Najniższa cena
IXFA22N60P3 Szukaj
IXFA22N60P3 Nabywczy
IXFA22N60P3 Chip