Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFA16N50P
MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK
Numer części
IXFA16N50P
Producent/marka
Seria
HiPerFET™, PolarHT™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (IXFA)
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
43nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2250pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 51759 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFA16N50P
IXFA16N50P Części elektroniczne
IXFA16N50P Obroty
IXFA16N50P Dostawca
IXFA16N50P Dystrybutor
IXFA16N50P Tabela danych
IXFA16N50P Zdjęcia
IXFA16N50P Cena
IXFA16N50P Oferta
IXFA16N50P Najniższa cena
IXFA16N50P Szukaj
IXFA16N50P Nabywczy
IXFA16N50P Chip