Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFA14N60P
MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK
Numer części
IXFA14N60P
Producent/marka
Seria
HiPerFET™, PolarHT™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (IXFA)
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
36nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2500pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 12378 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFA14N60P
IXFA14N60P Części elektroniczne
IXFA14N60P Obroty
IXFA14N60P Dostawca
IXFA14N60P Dystrybutor
IXFA14N60P Tabela danych
IXFA14N60P Zdjęcia
IXFA14N60P Cena
IXFA14N60P Oferta
IXFA14N60P Najniższa cena
IXFA14N60P Szukaj
IXFA14N60P Nabywczy
IXFA14N60P Chip