Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXDN602SIATR
2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN
Numer części
IXDN602SIATR
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Typ wejścia
Non-Inverting
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Napięcie zasilające
4.5 V ~ 35 V
Typ kanału
Independent
Konfiguracja sterowana
Low-Side
Liczba kierowców
2
Typ bramy
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Napięcie logiczne - VIL, VIH
0.8V, 3V
Prąd — moc szczytowa (źródło, ujście)
2A, 2A
Wysokie napięcie boczne — maks. (Bootstrap)
-
Czas narastania/opadania (typ)
7.5ns, 6.5ns
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 24115 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXDN602SIATR
IXDN602SIATR Części elektroniczne
IXDN602SIATR Obroty
IXDN602SIATR Dostawca
IXDN602SIATR Dystrybutor
IXDN602SIATR Tabela danych
IXDN602SIATR Zdjęcia
IXDN602SIATR Cena
IXDN602SIATR Oferta
IXDN602SIATR Najniższa cena
IXDN602SIATR Szukaj
IXDN602SIATR Nabywczy
IXDN602SIATR Chip