IRLS3036TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Numer części
IRLS3036TRLPBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
380W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 165A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
140nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
11210pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±16V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 48322 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRLS3036TRLPBF
IRLS3036TRLPBF Części elektroniczne
IRLS3036TRLPBF Obroty
IRLS3036TRLPBF Dostawca
IRLS3036TRLPBF Dystrybutor
IRLS3036TRLPBF Tabela danych
IRLS3036TRLPBF Zdjęcia
IRLS3036TRLPBF Cena
IRLS3036TRLPBF Oferta
IRLS3036TRLPBF Najniższa cena
IRLS3036TRLPBF Szukaj
IRLS3036TRLPBF Nabywczy
IRLS3036TRLPBF Chip