Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRLMS2002GTRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP
Numer części
IRLMS2002GTRPBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SOT-23-6
Pakiet urządzeń dostawcy
Micro6™(SOT23-6)
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
22nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1310pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
2.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±12V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 8221 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRLMS2002GTRPBF
IRLMS2002GTRPBF Części elektroniczne
IRLMS2002GTRPBF Obroty
IRLMS2002GTRPBF Dostawca
IRLMS2002GTRPBF Dystrybutor
IRLMS2002GTRPBF Tabela danych
IRLMS2002GTRPBF Zdjęcia
IRLMS2002GTRPBF Cena
IRLMS2002GTRPBF Oferta
IRLMS2002GTRPBF Najniższa cena
IRLMS2002GTRPBF Szukaj
IRLMS2002GTRPBF Nabywczy
IRLMS2002GTRPBF Chip