IRLML6402GTRPBF
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3
Numer części
IRLML6402GTRPBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
Micro3™/SOT-23
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.3W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
633pF @ 10V
Vgs (maks.)
±12V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
2.5V, 4.5V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 45197 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRLML6402GTRPBF
IRLML6402GTRPBF Części elektroniczne
IRLML6402GTRPBF Obroty
IRLML6402GTRPBF Dostawca
IRLML6402GTRPBF Dystrybutor
IRLML6402GTRPBF Tabela danych
IRLML6402GTRPBF Zdjęcia
IRLML6402GTRPBF Cena
IRLML6402GTRPBF Oferta
IRLML6402GTRPBF Najniższa cena
IRLML6402GTRPBF Szukaj
IRLML6402GTRPBF Nabywczy
IRLML6402GTRPBF Chip