IRLML2502GTRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
Numer części
IRLML2502GTRPBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
Micro3™/SOT-23
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.25W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
740pF @ 15V
Vgs (maks.)
±12V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
2.5V, 4.5V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 39252 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRLML2502GTRPBF
IRLML2502GTRPBF Części elektroniczne
IRLML2502GTRPBF Obroty
IRLML2502GTRPBF Dostawca
IRLML2502GTRPBF Dystrybutor
IRLML2502GTRPBF Tabela danych
IRLML2502GTRPBF Zdjęcia
IRLML2502GTRPBF Cena
IRLML2502GTRPBF Oferta
IRLML2502GTRPBF Najniższa cena
IRLML2502GTRPBF Szukaj
IRLML2502GTRPBF Nabywczy
IRLML2502GTRPBF Chip