Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRLH5036TRPBF
MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN
Numer części
IRLH5036TRPBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerVDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
PQFN (5x6)
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.6W (Ta), 160W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 150µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
90nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5360pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±16V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 54327 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRLH5036TRPBF
IRLH5036TRPBF Części elektroniczne
IRLH5036TRPBF Obroty
IRLH5036TRPBF Dostawca
IRLH5036TRPBF Dystrybutor
IRLH5036TRPBF Tabela danych
IRLH5036TRPBF Zdjęcia
IRLH5036TRPBF Cena
IRLH5036TRPBF Oferta
IRLH5036TRPBF Najniższa cena
IRLH5036TRPBF Szukaj
IRLH5036TRPBF Nabywczy
IRLH5036TRPBF Chip