Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRFS7762PBF

IRFS7762PBF

MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK
Numer części
IRFS7762PBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D²PAK (TO-263AB)
Rozpraszanie mocy (maks.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
75V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
130nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4440pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
6V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 37340 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IRFS7762PBF
IRFS7762PBF Części elektroniczne
IRFS7762PBF Obroty
IRFS7762PBF Dostawca
IRFS7762PBF Dystrybutor
IRFS7762PBF Tabela danych
IRFS7762PBF Zdjęcia
IRFS7762PBF Cena
IRFS7762PBF Oferta
IRFS7762PBF Najniższa cena
IRFS7762PBF Szukaj
IRFS7762PBF Nabywczy
IRFS7762PBF Chip