IRFR120NTRPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Numer części
IRFR120NTRPBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
D-Pak
Rozpraszanie mocy (maks.)
48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
330pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 20005 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRFR120NTRPBF
IRFR120NTRPBF Części elektroniczne
IRFR120NTRPBF Obroty
IRFR120NTRPBF Dostawca
IRFR120NTRPBF Dystrybutor
IRFR120NTRPBF Tabela danych
IRFR120NTRPBF Zdjęcia
IRFR120NTRPBF Cena
IRFR120NTRPBF Oferta
IRFR120NTRPBF Najniższa cena
IRFR120NTRPBF Szukaj
IRFR120NTRPBF Nabywczy
IRFR120NTRPBF Chip