Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRFB61N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB
Numer części
IRFB61N15DPBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.4W (Ta), 330W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
140nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3470pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 24546 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRFB61N15DPBF
IRFB61N15DPBF Części elektroniczne
IRFB61N15DPBF Obroty
IRFB61N15DPBF Dostawca
IRFB61N15DPBF Dystrybutor
IRFB61N15DPBF Tabela danych
IRFB61N15DPBF Zdjęcia
IRFB61N15DPBF Cena
IRFB61N15DPBF Oferta
IRFB61N15DPBF Najniższa cena
IRFB61N15DPBF Szukaj
IRFB61N15DPBF Nabywczy
IRFB61N15DPBF Chip