Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRF8304MTR1PBF
MOSFET N-CH 30V 28A MX
Numer części
IRF8304MTR1PBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
DirectFET™ Isometric MX
Pakiet urządzeń dostawcy
DIRECTFET™ MX
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.8W (Ta), 100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
42nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4700pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 21816 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRF8304MTR1PBF
IRF8304MTR1PBF Części elektroniczne
IRF8304MTR1PBF Obroty
IRF8304MTR1PBF Dostawca
IRF8304MTR1PBF Dystrybutor
IRF8304MTR1PBF Tabela danych
IRF8304MTR1PBF Zdjęcia
IRF8304MTR1PBF Cena
IRF8304MTR1PBF Oferta
IRF8304MTR1PBF Najniższa cena
IRF8304MTR1PBF Szukaj
IRF8304MTR1PBF Nabywczy
IRF8304MTR1PBF Chip