Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRF8252TRPBF-1
MOSFET N-CH 25V 25A
Numer części
IRF8252TRPBF-1
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Bulk
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
53nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5305pF @ 13V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 47418 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRF8252TRPBF-1
IRF8252TRPBF-1 Części elektroniczne
IRF8252TRPBF-1 Obroty
IRF8252TRPBF-1 Dostawca
IRF8252TRPBF-1 Dystrybutor
IRF8252TRPBF-1 Tabela danych
IRF8252TRPBF-1 Zdjęcia
IRF8252TRPBF-1 Cena
IRF8252TRPBF-1 Oferta
IRF8252TRPBF-1 Najniższa cena
IRF8252TRPBF-1 Szukaj
IRF8252TRPBF-1 Nabywczy
IRF8252TRPBF-1 Chip