Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRF3710ZGPBF
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
Numer części
IRF3710ZGPBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Rozpraszanie mocy (maks.)
160W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
120nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2900pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 36586 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRF3710ZGPBF
IRF3710ZGPBF Części elektroniczne
IRF3710ZGPBF Obroty
IRF3710ZGPBF Dostawca
IRF3710ZGPBF Dystrybutor
IRF3710ZGPBF Tabela danych
IRF3710ZGPBF Zdjęcia
IRF3710ZGPBF Cena
IRF3710ZGPBF Oferta
IRF3710ZGPBF Najniższa cena
IRF3710ZGPBF Szukaj
IRF3710ZGPBF Nabywczy
IRF3710ZGPBF Chip