Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IR25600PBF
IC DUAL MOSFET IGBT 8-DIP
Numer części
IR25600PBF
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Typ wejścia
Non-Inverting
temperatura robocza
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PDIP
Napięcie zasilające
6 V ~ 20 V
Typ kanału
Independent
Konfiguracja sterowana
Low-Side
Liczba kierowców
2
Typ bramy
IGBT, N-Channel MOSFET
Napięcie logiczne - VIL, VIH
0.8V, 2.7V
Prąd — moc szczytowa (źródło, ujście)
2.3A, 3.3A
Wysokie napięcie boczne — maks. (Bootstrap)
-
Czas narastania/opadania (typ)
15ns, 10ns
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 52833 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IR25600PBF
IR25600PBF Części elektroniczne
IR25600PBF Obroty
IR25600PBF Dostawca
IR25600PBF Dystrybutor
IR25600PBF Tabela danych
IR25600PBF Zdjęcia
IR25600PBF Cena
IR25600PBF Oferta
IR25600PBF Najniższa cena
IR25600PBF Szukaj
IR25600PBF Nabywczy
IR25600PBF Chip