Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPW65R110CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
Numer części
IPW65R110CFDFKSA1
Producent/marka
Seria
CoolMOS™
Stan części
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO247-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
277.8W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
118nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3240pF @ 100V
Vgs (maks.)
±20V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 46038 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPW65R110CFDFKSA1
IPW65R110CFDFKSA1 Części elektroniczne
IPW65R110CFDFKSA1 Obroty
IPW65R110CFDFKSA1 Dostawca
IPW65R110CFDFKSA1 Dystrybutor
IPW65R110CFDFKSA1 Tabela danych
IPW65R110CFDFKSA1 Zdjęcia
IPW65R110CFDFKSA1 Cena
IPW65R110CFDFKSA1 Oferta
IPW65R110CFDFKSA1 Najniższa cena
IPW65R110CFDFKSA1 Szukaj
IPW65R110CFDFKSA1 Nabywczy
IPW65R110CFDFKSA1 Chip