Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPW60R180P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Numer części
IPW60R180P7XKSA1
Producent/marka
Seria
CoolMOS™ P7
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO247-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
72W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 280µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1081pF @ 400V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 33152 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPW60R180P7XKSA1
IPW60R180P7XKSA1 Części elektroniczne
IPW60R180P7XKSA1 Obroty
IPW60R180P7XKSA1 Dostawca
IPW60R180P7XKSA1 Dystrybutor
IPW60R180P7XKSA1 Tabela danych
IPW60R180P7XKSA1 Zdjęcia
IPW60R180P7XKSA1 Cena
IPW60R180P7XKSA1 Oferta
IPW60R180P7XKSA1 Najniższa cena
IPW60R180P7XKSA1 Szukaj
IPW60R180P7XKSA1 Nabywczy
IPW60R180P7XKSA1 Chip