Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPS090N03LGBKMA1
MOSFET N-CHANNEL 30V 40A TO251-3
Numer części
IPS090N03LGBKMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO251-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1600pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do chen_hx1688@hotmail.com, odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 46870 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPS090N03LGBKMA1
IPS090N03LGBKMA1 Części elektroniczne
IPS090N03LGBKMA1 Obroty
IPS090N03LGBKMA1 Dostawca
IPS090N03LGBKMA1 Dystrybutor
IPS090N03LGBKMA1 Tabela danych
IPS090N03LGBKMA1 Zdjęcia
IPS090N03LGBKMA1 Cena
IPS090N03LGBKMA1 Oferta
IPS090N03LGBKMA1 Najniższa cena
IPS090N03LGBKMA1 Szukaj
IPS090N03LGBKMA1 Nabywczy
IPS090N03LGBKMA1 Chip